Немає облікового запису?
Зарееєструватись
Електронні компоненти Та обладнання
Телефони магазину
Телефони офісу
{{ totalQuantity }}
Корзина
{{ totalPrice }} грн.
Транзистори IGBT
| Код товауа | Фото | Назва | Залишок | Вартість | Гуртові ціни | Кіл-ть | Купити |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 12621 |
пр. Слобожанський 83/3 - (7 |
1 шт. 215.00 |
1:
215.00 грн |
–
+
|
|||
| 01723 |
пр. Слобожанський 83/3 - (10 |
1 шт. 135.00 |
1:
135.00 грн |
–
+
|
|||
| 19804 |
пр. Слобожанський 83/3 - (3 |
1 шт. 378.00 |
1:
378.00 грн |
–
+
|
|||
| 12668 |
пр. Слобожанський 83/3 - (21 |
1 шт. 223.70 |
1:
223.70 грн |
–
+
|
|||
| 17816 |
пр. Слобожанський 83/3 - (12 |
1 шт. 70.70 |
1:
70.70 грн 10: 60.30 грн 30: 54.10 грн |
–
+
|
|||
| 11858 |
пр. Слобожанський 83/3 - (7 |
1 шт. 225.80 |
1:
225.80 грн 5: 212.90 грн 20: 193.50 грн |
–
+
|
|||
| 11556 |
пр. Слобожанський 83/3 - (7 |
1 шт. 107.10 |
1:
107.10 грн |
–
+
|
|||
| 16570 |
пр. Слобожанський 83/3 - (15 |
1 шт. 213.10 |
1:
213.10 грн |
–
+
|
|||
| 15031 |
пр. Слобожанський 83/3 - (10 |
1 шт. 145.00 |
1:
145.00 грн |
–
+
|
|||
| 15028 |
пр. Слобожанський 83/3 - (21 |
1 шт. 212.50 |
1:
212.50 грн |
–
+
|
|||
| 14637 |
пр. Слобожанський 83/3 - (13 |
1 шт. 65.00 |
1:
65.00 грн |
–
+
|
|||
| 18373 |
пр. Слобожанський 83/3 - (45 |
1 шт. 83.50 |
1:
83.50 грн |
–
+
|
Описание о категории
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Преимущества IGBT:
- высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
- низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
- малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
- характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
- управление как у полевых транзисторов — напряжением.